SMK730P
先进的N沟道功率MOSFET
开关稳压器的应用
特点
高压： BV
DSS
=400V(Min.)
低C
RSS
: C
RSS
=14pF(Typ.)
低栅极电荷：的Qg = 16nC （典型值）
低R
DS （ ON）
: R
DS （ ON）
=1.0Ω(Max.)
G
封装代码
TO-220AB
GD
S
TO-220AB
引脚连接
D
订购信息
型号
SMK730P
记号
SMK730
S
标记图
专栏1 ：制造商
AUK
GYMDD
SMK730
专栏2 ：生产信息
例如） GYMDD
- 。 G：工厂管理代码
- 。 YMDD ：日期代码（年，月，日）
专栏3 ：设备代码
绝对最大额定值
(
T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
*
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
Tc=25C
Tc=100C
I
DM
P
D
②
②
①
①
等级
400
30
5.5
3.48
22
70
5.5
449
5.5
8.5
150
-55~150
单位
V
V
A
A
A
W
A
mJ
A
mJ
C
漏电流（脉冲）
功耗
*
雪崩电流（单人）
单脉冲雪崩能量
雪崩电流（重复）
重复性雪崩能量
结温
存储温度范围
I
AS
E
AS
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
*受最高结温
特征
热
阻力
结案件
结到环境
符号
R
日（J -C ）
R
号（j -a）的
典型值。
-
-
马克斯。
1.78
62.5
单位
° C / W
KSD-T0P027-002
1
