SML20B56

TO- 247AD封装外形。

尺寸mm （英寸）

4.69

5.31

1.49

2.49

(0.185)

(0.209)

(0.059)

(0.098)

6.15

(0.242)

BSC

15.49 (0.610)

16.26 (0.640)

20.80 (0.819)

21.46 (0.845)

N沟道

增强型

高压

功率MOSFET

3.55 (0.140)

3.81 (0.150)

1

2

3

1.65 (0.065)

2.13 (0.084)

2.87 (0.113)

3.12 (0.123)

0.40 (0.016)

0.79 (0.031)

1.01 (0.040)

1.40 (0.055)

V

DSS

200V

56A

I

D（续）

R

DS （ ON）

0.045

W

更快的开关

低漏

100％的雪崩测试

流行的TO- 247封装

2.21 (0.087)

2.59 (0.102)

19.81 (0.780)

20.32 (0.800)

4.50

(0.177)

M AX 。

5.25 (0.215)

BSC

引脚1 - 门

PIN 2 - 漏

PIN 3 - 来源

D

G

S

StarMOS是新一代高电压

N沟道增强型功率MOSFET 。

这种新技术的最小的JFET效应，

增加填充密度，并降低了

导通电阻。 StarMOS也实现了较快

开关门，通过优化布局的速度。

绝对最大额定值

(T

例

= 25 ° C除非另有说明）

V

DSS

I

D

I

DM

V

GS

V

GSM

P

D

T

J

, T

英镑

T

L

I

AR

E

AR

E

AS

漏 - 源极电压

连续漏电流

漏电流脉冲

1

栅 - 源电压

栅 - 源电压瞬态

总功率耗散@ T

例

= 25°C

线性降额

工作和存储结温范围

焊接温度： 0.063 “从案例10秒。

雪崩电流

1

（重复，不重复）

重复性雪崩能量

1

单脉冲雪崩能量

2

200

56

224

±20

±30

300

2.4

-55到150

300

56

30

1300

V

A

A

V

W

W / ℃，

°C

A

mJ

1 ）重复评级：脉冲宽度有限的最高结温。

2 ）起始物为

J

= 25℃时，L = 0.83mH ，R

G

= 25

W

，峰值I

L

= 56A

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

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