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PD - 97542
汽车级
特点
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AUIRF3205Z
AUIRF3205ZS
HEXFET
功率MOSFET
D
●
●
先进的工艺技术
超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达
TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格*
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
马克斯。
I
D（硅有限公司）
55V
6.5m
110A
75A
G
S
I
D（包装有限公司）
D
描述
专为汽车应用，
这HEXFET
功率MOSFET采用了最新的
加工技术，以实现极低的导通
每硅片面积的阻力。的附加功能
这样的设计是175 ° C的结温工作
TURE ，开关速度快，提高了重复
雪崩额定值。这些功能结合起来，使
这种设计的一个非常有效和可靠的设备
在汽车应用中使用，各种
的其他应用程序。
D
G
D
S
G
D
S
TO-220AB
AUIRF3205Z
D
2
PAK
AUIRF3205ZS
绝对最大额定值
G
门
D
漏
S
来源
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只;并且该设备在这些或超出了规格标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。
暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。热敏电阻和功率
耗散额定值下板安装和静止空气条件下测得的。环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有
指定的。
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
E
AS
（测试）
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
（硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
（包装有限公司）
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
马克斯。
110
78
75
440
170
1.1
± 20
180
250
看到图12a ， 12b中，15，16
-55 + 175
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
°C
h
d
重复性雪崩能量
工作结
g
i
存储温度范围
焊接温度， 10秒（从案例1.6毫米）
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
300
10磅的（ 1.1N M）
热阻
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
结到外壳
y
y
k
i
参数
典型值。
–––
0.50
–––
–––
马克斯。
0.90
–––
62
40
单位
° C / W
外壳到散热器，平板油脂润滑表面
结到环境
结到环境（印刷电路板安装）
i
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
j
www.irf.com
1
07/23/2010
