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ATtiny48/88
5.3.6
防止EEPROM腐败
在低V的时期
CC
在EEPROM中的数据可能被破坏,因为在电源电压过
低的CPU和正确操作的EEPROM中。这些问题都是一样的板
利用水平系统EEPROM中,并且在同一设计方案应该被应用。
一个EEPROM数据损坏有两种情况下都导致当电压过低。首先,
一个常规的写序列到EEPROM需要一个最小的电压,以正常工作。节
ondly , CPU本身能够执行指令的错误,如果电源电压过低。
EEPROM数据损坏的问题可以通过在近郊保持RESET有效(低电平)
电源电压不足的消耗臭氧层物质。这可以通过使能芯片的掉电检测完成
检测器( BOD ) 。如果BOD的检测电平不匹配,需要检测
水平,外部低V
CC
复位保护电路都可以使用。如果发生了复位,而写
操作正在进行时,写操作将被完成的条件是该电源
电压是足够的。
5.4
I / O存储器
该ATTINY48 / 88的I / O空间的定义示于
276页上的“注册摘要” 。
所有ATTINY48 / 88 I / O和外设都被放置在I / O空间。所有的I / O位置可
通过LD / LDS / LDD和ST / STS / STD指令来访问,在32之间传输数据
通用工作寄存器和I / O空间。地址范围内的I / O寄存器
为0x00 - 0x1F的直接对位进行访问使用SBI和CBI指令。在这些寄存器中,在
单个比特的值可以通过使用SBIS和SBIC指令进行检查。参阅
指令以获取更多的信息设定部。当使用I / O的具体IN和OUT指令时,
I / O地址为0x00 - 0x3F之间必须使用。当寻址的I / O寄存器作为数据空间利用
LD和ST指令, 0x20的必须被添加到这些地址。该ATTINY48 / 88是一种复杂的
微控制器比可以在64的位置保留的支持更多的外围设备
在操作码的IN和OUT指令。对于扩展的I / O空间0x60 - 0xFF的中
SRAM ,只能使用ST / STS / STD和LD / LDS / LDD指令都可以使用。
为了与以后的器件兼容,保留位应写入零,如果访问。
保留的I / O内存地址不应该被写入。
一些状态标志都被写入逻辑1来清除。请注意, CBI和SBI
指令只对指定的位,因此可以在寄存器用来载
荷兰国际集团这样的状态标志。 CBI和SBI指令与工作寄存器0x00至0x1F的唯一。
在I / O和外设控制寄存器在其他章节介绍。
5.4.1
通用I / O寄存器
ATTINY48 / 88包含3个通用I / O寄存器。这些寄存器可以用于
存储任何信息,并且它们用于存储全局变量和状态中特别有用
标志。通用I / O寄存器的地址为0x00 - 0x1F的直接比特
访问使用SBI , CBI , SBIS与SBIC指令。
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8008F–AVR–06/10

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