AT89C51RD2 / AT89C51ED2 QualPack
4.3.4.3单元读取干扰
用途：
上测量56k8存储器单元读取干扰的影响。
测试参数：
LOT ：
0t0348
编程： 14V的WL和sensegate @ 5ms的
温度： 25℃和140℃下
细胞强调与BL的电压比标准读取条件要高得多（约6V ）加快干扰
现象：从浮栅的电子可以移动穿过隧道氧化物。这种电荷损耗测量
压力由佛蒙特州测量后。
测试结果：
0t0348 ＃ 01 56.8k （ 568A6 ）
BL读取干扰@ 25℃
2.5
0t0348 ＃ 01 56.8k （ 568A6 ）
BL读取干扰@ 140℃
2.5
2
Vbl=6V
Vbl=6.5V
Vbl=7V
1
Vbl=7.5V
Vbl=8V
2
Vbl=6V
Vbl=6.5V
Vbl=7V
1
Vbl=7.5V
Vbl=8V
0.5
三角洲VT（ V）
0.5
0
0.1
1
10
100
时间（s）
1000
10000
三角洲VT（ V）
1.5
1.5
0
0.1
1
10
100
时间（s）
1000
10000
结论：
外推至10年的寿命得到4V左右的在读操作的最大BL的电压，这是高得多的
比标称BL读出电压（ 1V ） 。所以没有灵敏度读取扰乱或者在室温或高
温度。
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第0版 - 2003年7月
