AT89C51RD2 / AT89C51ED2 QualPack
4.3.3时间相关介质击穿
用途：
评估AT56800薄栅氧化层的TDDB性能如下：
a）确定对性病有效边缘电容的栅氧化层故障的活化能
b）为确定本征栅氧化层故障的领域加速因子
c）确定的西格玛时的对数正态标准偏差的击穿分布
内在的栅氧化层
测试参数：
LOT
最小厚度：
最大厚度：
电容的大小：
9G3470 （晶圆4 ， 5 ， 18 ）
72.9A
74.7A
2
6.267微米
10.0MV/cm
N=5
N=5
N=5
10.5MV/cm
N=5
N=5
N=6
所使用的应力条件如下所示：
温度/场
9.5MV/cm
225C
N=5
200C
N=5
175C
N=5
累计总应力时间：131小时/ 46电容
计算参数：
失败条件：
温度/电压使用：
氧化层厚度：
寿命预测：
用于描述栅极氧化物的击穿的方程为：
TBD （ I） = EXP （ SIGMA * Z （ I） + GAMMA * EOX + EA / KT + T0）
哪里
待定（i）是在时间到i的击穿
th
电容
SIGMA被击穿分布的对数正态分布的标准偏差，
Z（ i）是Z分数第i的
th
电容器（本质上是它的击穿时间和平均值之间的差异
在标准偏差计） ，
GAMMA是场不断加速，
EOX是氧化物场，
Ea为这个失效机制的活化能，
K是玻尔兹曼常数，
T是开氏温度，以及
T0为嵌合恒定。
0.01 ％的失败
105 ℃/ 3.3V
63A （目标-10 ％ ）
12
第0版 - 2003年7月
