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AT89C51AC3
内部空间
低128字节RAM
低128字节的RAM （参见图8）从地址从00h到7F访问
使用直接或间接寻址模式。最低的32字节被分成4
8个寄存器银行（ R0到R7 ） 。二位RS0和RS1在PSW寄存器（见图6）
选择哪个银行正在使用中，根据表4中。这允许更有效地使用的代码
空间，因为寄存器指令比使用直接寻址指令短
荷兰国际集团，以及可用于上下文中的中断服务程序的切换。
表4 。
寄存器组选择
RS1
0
0
1
1
RS0
0
1
0
1
描述
寄存器组0从00H到07H
寄存器组0从08H到0Fh
寄存器组0从10H到17H
寄存器组0从18H到1FH
在接下来的16字节的寄存器组形成位寻址存储器块
空间。在C51指令集包括了多种选择的单位指令，并
128位在这方面可以直接处理这些指令。该位
在这方面的地址是从00h到7F 。
图9 。
低128字节内部RAM组织
7Fh
30h
20h
18h
10h
08h
00h
2Fh
1Fh
17h
0Fh
07h
位寻址空间
（位地址0-7Fh ）
4银行
8个寄存器
R0-R7
高128字节RAM
扩展RAM
高128字节的RAM地址从80H到FFH访问只用间接
寻址模式。
片上2048字节的扩展RAM （ ERAM ）从地址0000H访问
通过MOVX指令07FFH使用间接寻址方式。在此地址
范围内时，位EXTRAM在AUXR寄存器用来选择ERAM （默认）或
XRAM 。如图8时EXTRAM = 0时， ERAM被选择和时
EXTRAM = 1时，XRAM被选中。
ERAM的尺寸可以通过XRS2-0位在AUXR寄存器进行配置（默认大小为
2048个字节） 。
注意：
低128字节RAM ，高128字节RAM和扩展RAM是由挥发性
存储器单元。这意味着该RAM的内容是在加电后的和不确定的
然后，必须正确初始化。
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