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该AT28C64B就像在读一个静态RAM访问
或写周期，而无需外部元件。
该器件包含一个64字节页寄存器允许写入
多达64个字节同时进行。在写周期期间，在
地址和数据的164个字节被内部地锁存，
释放地址和数据总线，用于其它操作。跟着
降脂的写周期开始，该设备将automat-
ically使用一个内部控制计时器写锁存的数据。
在写入周期结束时可以通过数据POLL-来检测
我ING / O
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。一旦写周期结束时一直
检测到的，对于一个读或写一个新的访问就可以开始。
爱特梅尔AT28C64B有额外的功能，以确保高
质量和可制造性。该器件采用内部
延长耐力和改进的数据纠错
保持特性。一个可选的软件数据保护
化机制，可以防止无意
写道。该装置还包括一个额外的64个字节的
EEPROM设备识别或跟踪。
框图
绝对最大额定值*
高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压
（包括NC引脚）
相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............................- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在OE和A9电压
相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性
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AT28C64B
