AS4LC2M8S1
AS4LC1M16S1
读取写入中断（ CL = 2 ， BL = 4 ）
CLK
CMD1
DQM1
DQ1
CMD2
DQM2
DQ2
CMD3
DQM3
DQ3
CMD4
DQM4
DQ4
Q
0
D
0
D
1
D
2
D
3
读数据
D
0
D
1
写数据
D
2
D
3
读数据
D
0
D
1
写数据
D
2
D
3
读数据
D
0
D
1
写数据
D
2
D
3
读数据
写数据
为了防止总线冲突，保持在数据输入和数据输出之间的间隙。
读取写入中断（ CL = 3 ， BL = 4 ）
CLK
CMD1
DQM1
DQ1
CMD2
DQM2
DQ2
CMD3
DQM3
DQ3
CMD4
DQM4
DQ4
为了防止总线冲突，保持在数据输入和数据输出之间的间隙。
D
0
D
1
D
2
D
3
读数据
D
0
D
1
写数据
D
2
D
3
读数据
读数据
D
0
D
1
写数据
D
2
D
3
读数据
t
CCD
写数据
D
0
D
1
写数据
D
2
D
3
突发终止
脉冲串操作可以与读取终止时，写入，突发停止，或者预充电命令。当突发停止在被读断言
周期，突发读出的数据被终止，并且在数据总线CAS延迟后变为高态。当突发在写周期停止断言，
猝发写数据被终止，并且在数据总线进入高阻抗同时进行。
5/21/01; v.1.1
半导体联盟
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