APT58M80J
800V ， 60A ， 0.10Ω最大
N沟道MOSFET
功率MOS 8
是一个高速，高电压的N沟道开关模式功率MOSFET。
一个专有的平面条形设计产量出色的可靠性和可制造性。低
开关损耗，实现低输入电容和超低低C
RSS
"Miller"电容
距离。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容
帮助控制转换速率切换过程中，从而导致低EMI和可靠并联，
即使在非常高的频率切换。在反激式的可靠性，提升，前进，
其它电路是由高雪崩能量的能力增强。
S
G
D
S
SO
T
2
-2
7
"UL Recognized"
ISOTOP
文件＃ E145592
APT58M80J
单芯片MOSFET
G
D
S
特点
快速，低EMI / RFI开关
低R
DS （ ON）
超低低C
RSS
为提高抗干扰
低栅极电荷
额定雪崩能量
符合RoHS
典型应用
PFC等升压转换器
降压转换器
双开关正激（非对称桥）
单开关正激
反激式
逆变器
绝对最大额定值
符号
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
参数
连续漏电流@ T
C
= 25°C
连续漏电流@ T
C
= 100°C
漏电流脉冲
栅源电压
单脉冲雪崩能量
2
雪崩电流，重复或不重复
1
评级
60
36
325
±30
3725
43
单位
A
V
mJ
A
热和机械特性
符号
P
D
R
θ
JC
R
θ
CS
T
J
,T
英镑
V
隔离
W
T
特征
总功率耗散@ T
C
= 25°C
结到外壳热阻
案件散热器的热阻，平面，脂表面
工作和存储结温范围
RMS电压
（ 50-60hHz正弦波形，从终端到安装底座，持续1分钟。 ）
包装重量
-55
2500
1.03
29.2
力矩
10
端子和安装螺钉。
1.1
MicrosemiWebsite -HTTP ： //www.microsemi.com
0.15
150
°C
V
oz
g
·在磅
N·m的
04-2009
050-8111
版本B
民
典型值
最大
960
0.13
单位
W
° C / W
