AP9928GEO
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
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低导通电阻
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能够2.5V栅极驱动
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最佳的DC / DC电池应用
D2
S2
G2
S2
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
S1
D1
G1
S1
20V
23mΩ
5A
TSSOP-8
I
D
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，超低导通电阻和
成本效益。
D1
G1
G2
D2
S1
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
3
, V
GS
@ 4.5V
漏电流
3
, V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
20
±12
5
3.5
25
1
0.008
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
价值
马克斯。
125
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200206031
