AP7217A
3.3V 600毫安CMOS LDO
电气特性
(T
A
= 25°C, C
IN
= 1μF ，C
OUT
= 1μF ，V
EN
= V
IN
中，除非另有说明）
符号
I
Q
I
机顶盒
参数
静态电流
待机电流
输出电压
准确性
V
OUT
温度
系数
输入输出电压差
最大输出
当前
电流限制
短路电流
线路调整
负载调整率
电源
拒绝
EN输入阈值
启用引脚电流
检测电压降
V
迟滞
测试条件
I
O
= 0毫安
V
EN
=关闭
V
IN
= 5.0V
I
O
= 30mA时V
IN
= 5V
-40 ° C至85° C，I
OUT
= 30毫安
I
OUT
= 300毫安
I
OUT
= 600毫安
V
IN
= 5.3V
V
IN
= 5.3V
V
IN
= 5.3V
4.3V
≤
V
IN
≤
5.5V ;我
OUT
= 30毫安
1mA
≤
I
OUT
≤
100mA时V
IN
= 5.3V
V
IN
=
4.3V +平0.5Vp -PAC ，
F = 1kHz时
I
OUT
= 50毫安
输出ON
输出关闭
民
-
典型值。
50
15
最大
80
25
3.366
单位
A
A
V
PPM /
o
C
3.234
3.300
±100
350
800
VR
OUT
V
降
I
OUT
I
极限
I
短
V
LINE
/V
IN
/V
OUT
V
OUT
PSRR
V
EH
V
EL
I
EN
V
DF
V
D
迟滞
范围
400
900
mV
mA
600
750
50
0.01
15
55
1.6
-0.1
3.23
V
DF
x1.02
0.25
0.1
3.37
V
DF
x1.08
±0.2
50
mA
mA
%/V
mV
dB
V
V
A
V
V
mA
3.3
V
DF
x1.05
20
30
200
134
82
28
12
I
VDOUT
t
RP
θ
JA
θ
JC
注意事项：
VDOUT = 0.5V
VD电源电流V
IN
= 2.0V
3.0V
V
DOUT
延迟时间
V
IN
= 1.8V至VDF + 1V
热阻的SOP -8L （注3）
结至环境SOP- 8L -EP （注4 ）
热阻的SOP -8L （注3）
结到外壳
SOP- 8L -EP （注4 ）
180
-
毫秒
摄氏度/ W
摄氏度/ W
为SOP- 8L 3.测试条件：设备安装在FR-4基板印刷电路板， 2盎司覆铜，以最小的推荐焊盘布局。
4.测试条件SOP- 8L -EP ：设备安装在2盎司覆铜，顶部&底层有散热孔最小建议焊盘布局，
双面的FR-4印刷电路板。
AP7217A第3版
DS31423
4 10
www.diodes.com
2009年10月
Diodes公司
