AP6924GEY
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低导通电阻
▼
快速开关特性
▼
包括肖特基二极管
SOT-26
克
D
K
S
N沟道MOSFET和肖特基
二极管
BV
DSS
R
DS （ ON）
A
20V
600mΩ
1A
I
D
描述
D
A
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，超低导通电阻和
成本效益。
G
S
K
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
KA
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
I
F
I
FM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源极电压（ MOSFET ）
反向电压（肖特基）
栅源电压（ MOSFET ）
连续漏电流
3
管（MOSFET ）
连续漏电流
3
管（MOSFET ）
漏电流脉冲
1
管（MOSFET ）
平均正向电流（肖特基）
脉冲正向电流
1
（肖特基）
总功率耗散（ MOSFET ）
总功率耗散（肖特基）
存储温度范围
工作结温范围
等级
20
20
±6
1
0.8
8
0.5
2
0.9
0.9
-55至125
-55至125
单位
V
V
V
A
A
A
A
A
W
W
℃
℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
管（MOSFET ）
热阻结到环境
3
（肖特基）
价值
马克斯。
马克斯。
110
110
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200301051
