AP4957GM
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
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低导通电阻
▼
简单的驱动要求
D1
D2
D1
D2
P沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
G2
S2
-30V
24mΩ
-7.7A
▼
双P MOSFET封装
SO-8
S1
G1
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，超低导通电阻和
成本效益。
D1
D2
G1
S1
G2
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
-30
±20
-7.7
-6.1
-30
2
0.016
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
62.5
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200420041
