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初步数据表
超低静态电流LDO CMOS
电气特性
AP2138 / 2139-1.2电气特性
(V
IN
=2.5V, V
CE
= 2.5V （ AP2139 ） ，T
J
=25
o
C，我
OUT
= 40毫安，C
IN
=C
OUT
=1F,
胆大
字体适用在-40
o
C-吨
J
≤85
o
C，除非
另有规定编）
参数
输入电压
输出电压
静态电流
待机电流（ AP2139 ）
输出电流
负载调整率
线路调整
符号
V
IN
V
OUT
I
Q
I
性病
I
OUT
V
RLOAD
V
RLINE
1mA≤I
OUT
≤100mA
2.2V≤V
IN
≤6V
I
OUT
=10mA
输入输出电压差
V
降
I
OUT
=30mA
I
OUT
=100mA
I
OUT
=250mA
输出电压
温度COEF网络cient
短路电流
CE下拉恒
电流（ AP2139 ）
CE输入逻辑高
电压（ AP2139 ）
CE输入逻辑低电平
电压（ AP2139 ）
V
OUT
/T
(V
OUT
/V
OUT
)/T
I
短
I
PD
V
IH
V
IL
SOT-23-3
热阻
θ
JC
SOT-23-5
SOT-89
81.9
81.9
51.1
o
AP2138/2139
条件
民
典型值
最大
6.6
单位
V
V
A
A
mA
1.176
I
OUT
=0
V
CE
=0
250
1.200
1.0
0.1
1.224
1.5
1
25
6
100
400
700
1000
40
18
300
700
1000
1300
mV
mV
mV
±
140
±
100
V
OUT
=0
50
0.2
1.2
0.3
V/
o
C
PPM /
o
C
mA
A
V
V
C / W
2011年7月修订版2.0
7
BCD半导体制造有限公司
