AP13P15GH/J
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
导通电阻的降低
▼
简单的驱动要求
▼
快速开关特性
▼
符合RoHS
G
S
D
P沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
-150V
300mΩ
-13A
描述
该TO- 252包装普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用，并适用于低电压
应用，如高开关DC / DC转换器和
直流电动机的控制。通孔版（ AP13P15GJ ）可
对低调的申请。
G
G
S
TO-252(H)
D
S
TO-251(J)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
-150
±20
-13
-8.2
52
96
0.77
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
1.3
110
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200810051-1/4
