模拟电源
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
这些微型表面贴装MOSFET采用一
高密度沟槽工艺，以提供低
r
DS （ ON）
并且，以确保最小的功率损失和发热
耗散。典型的应用是DC- DC
转换器和电源管理在便携式和
电池供电的产品，如计算机，
打印机， PCMCIA卡，蜂窝和无绳
电话。
低R
DS （ ON）
提供了更高的效率和
延长电池寿命
低热阻抗的铜引线框架
DFN3x3-8PP节省电路板空间
开关速度快
高性能沟道技术
AM7334N
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
m( )
8.5 @ V
GS
= 10V
30
11.5 @ V
GS
= 4.5V
DFN3x3-8PP
顶视图
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
D
I
D
(A)
17
15
D
G
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
符号
极限
单位
漏源电压
V
DS
30
V
±20
栅源电压
V
GS
连续漏电流
漏电流脉冲
b
a
a
o
T
A
=25 C
T
A
=70 C
o
o
I
D
I
DM
I
S
±17
±12
±40
2
3.5
2
A
W
o
A
连续源电流（二极管传导）
功耗
a
T
A
=25 C
T
A
=70 C
o
o
P
D
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
-55到150
C
热电阻额定值
参数
最大结到外壳
a
最大结点到环境
a
符号
吨< = 5秒
吨< = 5秒
R
θJC
R
θJA
最大
25
50
单位
o
o
C / W
C / W
笔记
a.
表面装在1 “×1” FR4板。
b.
脉冲宽度有限的最高结温
1
初步
出版订单号：
DS-AM7334_B
