模拟电源
AM60N10-70P
N沟道100 -V （D -S ）的MOSFET
主要特点：
低R
DS （ ON）
沟槽技术
低热阻
开关速度快
典型应用：
白光LED升压转换器
- 汽车系统
工业DC / DC转换电路
产品概述
r
DS （ ON）
(mΩ)
V
DS
(V)
78 @ V
GS
= 10V
100
92 @ V
GS
= 5.5V
I
D
(A)
51
a
漏
连接的
为制表
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
极限
V
DS
漏源电压
100
V
GS
栅源电压
±20
T
A
=25°C
I
D
51
连续漏电流
a
b
I
DM
漏电流脉冲
240
a
I
S
90
连续源电流（二极管传导）
a
T
A
=25°C
P
D
300
功耗
T
J
, T
英镑
-55至175
工作结存储温度范围
单位
V
A
A
W
°C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到外壳
符号最大
R
θJA
62.5
R
θJC
1
单位
° C / W
笔记
a.
表面装在1 “×1” FR4板。
b.
脉冲宽度有限的最高结温
初步=
1
出版订单号：
DS_AM60N10-70P_1A
