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模拟电源
N沟道200 -V （D -S ）的MOSFET
这些微型表面贴装MOSFET采用一
高密度沟槽工艺，以提供低
r
DS （ ON）
并且，以确保最小的功率损失和发热
耗散。典型的应用是DC- DC
转换器和电源管理在便携式和
电池供电的产品，如计算机，
打印机， PCMCIA卡，蜂窝和无绳
电话。
低R
DS （ ON）
提供了更高的效率和
延长电池寿命
低热阻抗的铜引线框架
DPAK节省电路板空间
开关速度快
高性能沟道技术
AM20N20-125D
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
m( )
260 @ V
GS
= 10V
200
300 @ V
GS
= 5.5V
I
D
(A)
12
11
绝对最大额定值（T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
符号
极限
单位
V
DS
漏源电压
200
V
栅源电压
V
GS
±20
连续漏电流
漏电流脉冲
功耗
a
b
a
a
o
T
C
= 25 C I
D
o
15
36
30
50
I
DM
I
S
o
T
C
= 25℃ P
D
A
A
W
o
连续源电流（二极管传导）
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
-55至175
C
热电阻额定值
参数
符号
最大结点到环境
最大结到外壳
a
最大
50
3.0
单位
o
R
θJA
R
θJC
C / W
o
C / W
笔记
a.
表面装在1 “×1” FR4板。
b.
脉冲宽度有限的最高结温
1
初步
出版订单号：
DS-AM20N20-125_A
