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ADuM5230
300
200
180
250
瞬变抗扰度（千伏/微秒）
瞬变抗扰度（千伏/微秒）
最好的情况过程变异
160
140
120
100
80
60
40
20
最坏情况下的制程变异
07080-003
200
150
100
最坏情况下的制程变异
50
最好的情况过程变异
0
–40
–20
0
20
40
温度（℃）
60
80
100
0
250
500
750
1000
1250
频率（MHz）
1500
1750
2000
图22.瞬态抗扰度（线性瞬变）与温度的关系
图24.瞬态抗扰度（正弦瞬变）
100 °C环境温度
正弦分量（在给定频率）由下式给出
V
CM ，正弦
=
V
0
sin(2πft)
其中：
V
0
是正弦波的幅值。
f
是正弦波的频率。
正弦分量的瞬时幅值由下式给出
dV
CM
/ DT = 2πF
V
0
在ADuM5230的在压力正常运营的能力
正弦瞬变EnCE的特征是在所述数据
图23和图24的数据是根据设计模拟
和为最大正弦瞬变幅度（ 2πF V
0
)
该ADuM5230能够容忍不操作错误。
值免疫力正弦瞬变不
包括在表1中，因为测量以获得这样的值
都不可能的。
200
180
160
瞬变抗扰度（千伏/微秒）
140
120
100
最好的情况过程变异
80
60
40
20
0
250
500
750
1000
1250
频率（MHz）
1500
1750
2000
07080-004
典型应用信息
该ADuM5230是用于驱动低栅极电容
晶体管（ 200 pF的典型值） 。大多数高电压应用
包括比这更大的晶体管。为了适应这些
应用，用户可以实现与缓冲器的结构
该ADuM5230 ，如图25在许多情况下，该
缓冲器的结构是最便宜的选项，并提供
的设计灵活性的最大金额。精确的缓冲/高
电压晶体管的组合可以被选择为适合的需求
该应用程序。
+ HV
V
DD1
V
ADJ
V
IA
R
上
R
低
V
DDB
V
IB
GND
1
V
OB
07080-009
V
ISO
V
OA
GND
ISO
浮动V
DDB
ADuM5230
GND
B
-HV
图25.应用电路
隔离寿命
当受到全绝缘结构，最终打破
的电压作用在足够长的时期。的速率
绝缘劣化取决于特征
施加的电压波形在整个绝缘。此外
由监管机构，进行模拟测试
设备进行一系列广泛的评估来确定
该ADuM5230内部隔离结构的寿命。
ADI公司进行利用电压加速寿命试验
超过额定连续工作电压高。
加速因子的几种工作条件
确定的。这些因素允许的时间计算至
在实际工作电压故障。表7总结了
峰值电压， 50年使用寿命为双极性交流
操作条件和最大Analog Devices公司
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0
最坏情况下的制程变异
图23.瞬态抗扰度（正弦瞬变）
27 °C环境温度
07080-005
0
