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SBAS543A
–
2011年8月
–
经修订的2011年10月
顶视图
R
F
C
F
C
F
R
F
R
F
C
F
C
F
R
F
10
m
F
10
m
F
0.47
m
F
0.1
m
F
REFCN
CH_C1
REFCP
REFBN
CH_B1
REFBP
CH_C0
CH_B0
0.1
m
F
10
m
F
TTO HVSS
10
m
F
要HVDD
REFIO
AGND
AGND
R
F
C
F
HVSS
CH_D1
REFDN
AVDD
AGND
AVDD
AVDD
REFN
AVDD
HVDD
CH_A1
REFAN
AVDD
R
F
C
F
10
m
F
AGND
AGND
REFAP
CH_A0
41
40
39
38
37
36
35
34
33
10
m
F
REFDP
CH_D0
8
9
10
11
12
13
AVDD
AGND
16
C
F
R
F
C
F
R
F
DGND
DVDD
传说
顶层;灌铜和跟踪
下层; AGND区
下层; DGND区
通过
31
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18
19
20
21
22
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29
（1）所有AVDD / DVDD去耦电容器被放置在器件下方的电源引脚的底层上，并通过连接
过孔。所有100nF的陶瓷电容，而10μF电容也很近，但没有被放置在尽可能靠近该设备
损害安置更小的电容。
图44.布局建议
30
32
版权
2011年，德州仪器
41
产品文件夹链接（ S） ：
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