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超低噪声XFET电压基准
与当前库和源能力
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435/ADR439
特点
低噪声（ 0.1 Hz至10.0赫兹） ： 3.5 μV峰峰值@ 2.5 V输出
无需外部电容
低温COEF网络cient
A级： 10 PPM / ° C（最大值）
B级：为3 ppm / ° C（最大值）
负载调整率： 15 PPM / MA
线路调整率： 20 PPM / V
宽工作范围
ADR430 ： 4.1 V至18 V
ADR431 ： 4.5 V至18 V
ADR433 ： 5.0 V至18 V
ADR434 ： 6.1 V至18 V
ADR435 ： 7.0 V至18 V
ADR439 ： 6.5 V至18 V
高输出源和吸收电流： 30毫安和-20毫安
宽温度范围： -40 ° C至+ 125°C
销刀豆网络gurations
TP
1
V
IN 2
8
TP
7
COMP
顶视图
6
V
OUT
网卡
3
（不按比例）
GND
4
5
TRIM
04500-001
04500-041
ADR43x
笔记
1. NIC =无内部连接
2. TP =测试引脚（ DO NOT CONNECT ）
图1.采用8引脚MSOP （ RM - 8 ）
TP
1
V
IN 2
8
TP
COMP
顶视图
6
V
OUT
网卡
3
（不按比例）
5
TRIM
GND
4
7
ADR43x
笔记
1. NIC =无内部连接
2. TP =测试引脚（ DO NOT CONNECT ）
图2. 8引脚SOIC_N （ R- 8 ）
应用
精密数据采集系统
高分辨率数据转换器
医疗器械
工业过程控制系统
光控制电路
精密仪器
概述
该电压源ADR43x系列是一个家庭的XFET基准电压源
具有低噪声，高精度和低温度漂移
性能。采用ADI公司专利的温度
漂移曲率校正和XFET （额外注入结
场效应管）技术，电压随温度变化的非线性
该电压源ADR43x被最小化。
该XFET引用在较低的功耗（800 μA ）和操作
较低的电源电压裕量（ 2 V ），比埋齐纳
引用。嵌入式齐纳二极管基准需要5 V以上
净空操作。该电压源ADR43x XFET引用
唯一的低噪声解决方案，适合5 V系统。
ADR43x系列有能力到源的最高30 mA
输出电流和吸收高达20 mA的电流。它还配备了一个装饰
终端来调整输出电压在0.5％范围内，而不
影响性能。
该电压源ADR43x是8引脚MSOP和8引脚窄体可用
SOIC封装。所有版本都在扩展
工业级温度范围为-40 ° C至+ 125°C 。
牧师
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表1.选择指南
产量
电压（V）的
2.048
2.048
2.500
2.500
3.000
3.000
4.096
4.096
5.000
5.000
4.500
4.500
温度
系数
（ PPM / ° C）
10
3
10
3
10
3
10
3
10
3
10
3
模型
ADR430A
ADR430B
ADR431A
ADR431B
ADR433A
ADR433B
ADR434A
ADR434B
ADR435A
ADR435B
ADR439A
ADR439B
精度（MV ）
±3
±1
±3
±1
±4
±1.5
±5
±1.5
±6
±2
±5.5
±2
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