ADP3208D
电气特性
V
CC
= P
VCC1
= P
VCC2
= BST1 = BST2 =高= 5.0V ， FBRTN = GND = = SW1 SW2 = PGND1
= PGND2 =低= 0 V ， EN = VATFREQ =高， DPRSLP = 0 V ， PSI = 1.05 V ，V
VID
= 1.2000 V，T
A
=
40°C
至100℃ ，除非另有
注意（注1 ） 。电流输入引脚（由设备下沉）的符号为正。
REF
= 80千瓦。
参数
DPRSLP
输入电压
指的是驱动信号电平
逻辑低电平时，我
SINK
w
1
mA
逻辑高，我
来源
v
5
mA
DPRSLP =低
DPRSLP =高
指的是驱动信号电平
逻辑低电平时，我
SINK
w
1
mA
逻辑高，我
来源
v
5
mA
1.0
1.0
+2.0
V
符号
条件
民
典型值
最大
单位
2.3
输入电流
DPRSTP
输入电压
mA
0.7
1.0
0.3
V
输入电流
VARFREQ ， SP
输入电压
指的是驱动信号电平
逻辑低电平时，我
SINK
w
1
mA
逻辑高，我
来源
v
5
mA
mA
V
4.0
1.0
0.7
输入电流
EN输入
输入电压
指的是驱动信号电平
逻辑低电平时，我
SINK
w
1
mA
逻辑高，我
来源
v
5
mA
EN = L或EN = H （静态）
0.8 V < EN < 1.6 V（过渡期）
逻辑低电平时，我
SINK
= 4毫安
逻辑高电平，V
CLKEN
= V
CC
mA
V
2.3
10
70
50
1.0
输入电流
CLKEN输出
输出低电压
输出高，漏
当前
热监测和保护
TTSNS电压范围
（注2 ）
TTSNS门槛
TTSNS滞后
TTSNS偏置电流
VRTT输出电压
供应
电源电压范围
电源电流
V
CC
确定阈值
V
CC
UVLO阈值
V
CC
迟滞（注2 ）
高边MOSFET驱动器
上拉电阻，采购
当前
下拉电阻，下沉
当前
V
CCOK
V
CCUVLO
V
CC
V
VRTT
nA
mA
100
1.0
mV
mA
0
V
CC
= 5.0 V ， TTSNS正在下降
TTSNS = 2.6 V
逻辑低电平时，我
VRTT （ SINK ）
= 400
mA
逻辑高，我
VRTT （ SOURCE ）
=
400
mA
2.45
50
2.0
4.0
4.5
EN = H
EN = 0 V
V
CC
正在崛起
V
CC
正在下降
4.0
6.0
15
4.3
4.1
210
BST = PVCC
BST = PVCC
1.8
1.0
10
5.0
2.5
110
5.0
2.55
2.0
100
V
V
mV
mA
mV
V
V
mA
mA
V
V
mV
5.5
10
50
4.5
3.3
3.0
W
W
1.所有的极限温度下通过的相关使用标准统计质量控制（ SQC ）保证。
2.设计或平台特性保证，未经生产测试。
3.时序被引用到90 ％和10％点，除非另有说明。
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