ADL5363
电路描述
该
ADL5363
由两个主要部分组成：单选
射频（RF）子系统和本地振荡器（LO）的子系统。
设计，加工和包装技术的组合
允许这些子系统的功能集成
成一个单一的模具，使用成熟的封装和互连
技术，提供一种高性能，低成本的设计
具有优良的电，机械和热性能。
此外，需要外部元件被最小化，
优化的成本和尺寸。
射频子系统包括一个集成的，低损耗RF不平衡变压器，
无源混频器的MOSFET ，总和终端网络。
本振子系统由一个SPDT端接FET开关
和一个三阶段的限制LO放大器。 LO的目的
子系统是提供一个大的固定振幅，平衡信号
以驱动混频器独立于LO输入的电平。
该装置的框图如图48所示。
VCMI
20
射频子系统
单端50 Ω RF输入在内部变换到一个
使用低损耗（ <1分贝）平衡信号不平衡到平衡
（不平衡变压器）变压器。这个变压器是可能由一个
极低损耗金属堆栈，它同时提供优良的
平衡和直流隔离的RF端口。虽然该端口可以
将直流连接时，则建议阻塞电容器是
用于避免在运行过度直流电流通过的部分。
该RF平衡 - 不平衡变换器可以轻松支持RF输入频率范围
2300 MHz至2900 MHz的。
将得到的平衡RF信号被施加到一个无源混频器
该整流RF输入与LO子系统的输出。
无源混频器本质上是一个平衡的，低损耗开关
添加最小噪声的频率转换。唯一
来自混频器的噪声贡献是由于电阻损耗
的开关，它是在几欧姆。
作为混频器本质上是宽带和双向的，它
要正确地终止所有的惰轮（ M×N个产品）
通过在混合过程中产生的频率。终止
混频器避免不必要的互调的产生
产品并且减少了不需要的信号在IF的水平
输出。这种终止是通过加入一个实现
中频输出与混频器之间的网络之和。
的IP3性能可以通过调节供给进行优化
电流通过一个外部电阻。图37和图38说明如何
偏置电阻影响采用5 V电源的性能。
此外，直流电流可以保存通过增加任一者或
两个电阻。这是允许的，以减少直流电源电压
为低到3.3伏，从而进一步降低的耗散功率
的一部分。 （注意，没有性能增强是通过获得
降低这些电阻和过量的直流功率的值
可能会造成损耗。 ）
IFOP
19
IFon
18
PWDN
17
COMM
16
ADL5363
VPMX
1
15
LOI2
RFIN
2
14
VPSW
RFCT
3
BIAS
发电机
COMM
4
13
VGS1
12
VGS0
COMM
5
6
7
8
9
10
11
LOI1
NC =无连接
图48.原理示意图
第0版|第17页24
09914-051
VLO3
LGM3
VLO2
LOSW
NC
