数据表
特定网络阳离子
± 15 V双电源供电
V
DD
= +15 V ± 10%, V
SS
=发-15V ± 10％ ，GND = 0V ，除非另有说明。
表1中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻，R
ON
导通电阻之间的匹配
渠道， ΔR
ON
导通电阻平坦度，R
平（ON）的
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
流掉泄漏，我
D
（关闭）
渠道渗漏，我
D
（上） ，我
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容，C
IN
动态特性
1
过渡时间，t
过渡
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
突破前先延时，T
D
电荷注入，Q
INJ
关断隔离
通道到通道的串扰
-3 dB带宽
插入损耗
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
（开） ，C
S
（上）
0.002
±0.1
3
170
210
175
215
80
100
60
0.6
75
80
205
6.3
4.5
10
15
2.0
0.8
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
25°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
V
DD
到V
SS
160
200
3.5
8
38
50
±0.02
±0.1
±0.02
±0.1
±0.08
±0.2
250
280
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
ADG5233/ADG5234
测试条件/评论
V
S
= -10 V，I
S
= -1毫安;参见图26
V
DD
= +13.5 V, V
SS
= 13.5 V
V
S
= -10 V，I
S
= -1毫安
9
65
10
70
V
S
= -10 V，I
S
= -1毫安
V
DD
= +16.5 V, V
SS
= 16.5 V
V
S
= ±10 V, V
D
=
10 V ;参见图28
V
S
= ±10 V, V
D
=
10 V ;参见图28
V
S
= V
D
= ± 10 V ;参见图25
±0.2
±0.2
±0.3
±0.4
±0.4
±0.9
V
IN
= V
GND
或V
DD
250
255
115
280
290
125
30
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 10 V ;参见图31
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 10 V ;见图33
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 10 V ;见图33
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 10 V ;参见图32
V
S
= 0 V ，R
S
= 0 , C
L
= 1 nF的;看
图34
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;看
图29
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
图27
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;参见图30
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
见图30
V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
版本A |第24 3
