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ADF4150HV
特定网络阳离子
AV
DD
DV
DD
= SDV
DD
= 3.3 V ± 10%; V
P
= 6.0 V至30 V ; GND = 0 V ;牛逼
A
= T
民
给T
最大
中，除非另有说明。工作温度
范围为-40 ° C至+ 85°C 。
表1中。
参数
REF
IN
特征
输入频率
民
10
10
0.7
典型值
最大
300
30
AV
DD
5.0
±60
单位
兆赫
兆赫
V P-P
pF
μA
测试条件/评论
对于f < 10兆赫，确保压摆率> 21 V / μs的
在启用参考倍增（ DB25位
寄存器2被设置为1）
偏置AV
DD
/ 2;交流耦合确保AV
DD
/ 2 BIAS
输入灵敏度
输入电容
输入电流
RF输入特性
RF输入频率（ RF
IN
)
预分频器输出频率
相位检测器
鉴相器频率
0.5
3.0
750
26
20
26
GHz的
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
对于较低的RF
IN
频率，确保转换
评分> 400 V / μs的
-10 ≤- RF输入功率≤ +5 dBm的
低噪声模式
低SPUR模式
整数N分频模式
高压电荷泵
I
CP
吸入/源
高价值
低价值
R
SET
范围
高价值与
SET
漏极和源极电流匹配
我绝对
CP
准确性
I
CP
与V
CP
I
CP
与温度的关系
I
CP
泄漏
逻辑输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INH
/I
INL
输入电容，C
IN
逻辑输出
输出高电压，V
OH
输出高电流，I
OH
输出低电压，V
OL
电源
AV
DD
DV
DD
， SDV
DD
V
P
I
P
DI
DD
+ AI
DD1
目前每个输出分频器
I
RFOUT2
低功耗睡眠模式
384
48
3.3
196
6
3
2.5
2.5
2.5
2.0
0.6
±1
15.0
DV
DD
0.4
500
0.4
3.0
AV
DD
6.0
1
50
624的
20
1
30
2.5
60
32
3.6
10
594
μA
μA
kΩ
μA
μA
%
%
%
%
nA
V
V
μA
pF
V
μA
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
μA
R
SET
= 5.1 kΩ
R
SET
= 5.1 kΩ
R
SET
= 10 kΩ
R
SET
= 3.3 kΩ
1.0 V ≤ V
CP
≤ (V
P
1.0 V); V
P
= 6 V至30 V
1.0 V ≤ V
CP
≤ (V
P
1.0 V)
V
CP
= V
P
/2
V
CP
= V
P
/2
选择CMOS输出
I
OL
= 500 μA
设置V
P
供给至少1伏以上的
最大期望的调谐电压
V
P
= 30 V
各输出除以2消耗6毫安典型值
RF输出级是可编程
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