数据表
V
SY
= ±15.0 V, V
CM
= 0 V ，T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
表4 。
参数
输入特性
失调电压
1
符号
V
OS
条件
SOIC封装
-40 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
MSOP封装
-40 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
0.5
通道A与通道B ，T
A
= 25°C
I
B
-40 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
输入失调电流
输入电压范围
共模抑制比
大信号电压增益
输入阻抗，差动
输入阻抗，共模
输出特性
输出电压高
I
OS
-40 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
CMRR
A
VO
V
CM
= ±14 V
V
CM
= ± 15 V ， -40 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
R
L
= 2 kΩ的， -13.5 V≤ V
O
≤ +13.5 V
-40 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
15
106
85
110
105
124
117
100||1.1
200||2.5
V
OH
R
L
= 10 kΩ到V
CM
-40 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
R
L
= 2 kΩ到V
CM
-40 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
R
L
= 10 kΩ到V
CM
-40 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
R
L
= 2 kΩ到V
CM
-40 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
14.8
14.8
14.5
14.3
14.9
14.6
14.95
14.9
±30
V
SY
= ± 2 V至± 18 V
-40 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
I
O
= 0毫安
-40 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
R
L
= 2 k
V
IN
= 5毫伏峰 - 峰值，R
L
= 10 kΩ的，A
V
= 100
V
IN
= 5毫伏峰 - 峰值，R
L
= 10 kΩ的，A
V
= 1
A
V
= 1, V
IN
= 5 mV的P-P
0.1赫兹到10赫兹
F = 1千赫
110
105
120
625
140
民
典型值
ADA4084-2
最大
100
200
130
250
1.75
150
300
450
25
50
+15
单位
μV
μV
μV
μV
μV/°C
μV
nA
nA
nA
nA
V
dB
dB
dB
dB
kΩ的|| pF的
MΩ || pF的
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
dB
dB
A
A
V / μs的
兆赫
兆赫
度
兆赫
μV P-P
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
失调电压漂移
失调电压匹配
输入偏置电流
ΔV
OS
/ΔT
输出电压低
V
OL
14.9
14.8
14.8
14.7
短路电流
电源
电源抑制比
电源电流/放大器
动态性能
压摆率
增益带宽积
单位增益交叉
相位裕度
-3分贝闭环带宽
噪声性能
电压噪声
电压噪声密度
电流噪声密度
1
I
SC
PSRR
I
SY
750
1050
SR
英镑
教资会
Φ
M
-3分贝
e
n
p-p
e
n
i
n
2.4
4.6
15.9
9.9
86
13.9
0.1
3.9
0.55
偏移电压不包括焊料耐热性。
版本A |第24 5
