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AD8007/AD8008
绝对最大额定值*
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12.6 V
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。参见图2
共模输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
V
S
差分输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
1.0 V
输出短路持续时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。参见图2
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 125°C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
铅温度范围（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
*讲
超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件，在操作说明
本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
如果RMS信号电平是不确定的，然后再考虑
最坏的情况下，当
V
OUT
=
V
S
/4
为
R
L
到中间电源电压：
V
S
4
P
D
=
(
V
S
×
I
S
)
+
R
L
2
在单电源供电，具有
R
L
参考
V
S,
最坏的情况是：
V
OUT
=
V
S
2
最大功率耗散
最大功耗 - W
在AD8007 / AD8008的最大安全功耗
包是由结温的升高情况
(T
J
）在模具上。塑料封装模将达到当地
结温度。在约150℃ ，这是
玻璃化转变温度时，塑料会改变其Properties（属性）
关系。即使只是暂时超过这一温度限值可能
改变应力的封装对芯片作用， perma-
nently移位AD8007的参数性能/
AD8008 。超过175 ℃下的结温
延长的时间周期可导致变化的硅
设备，因而可能造成故障。
封装和PCB的静止空气的热性质（ θ
JA
),
环境温度（T
A
） ，总功率消耗在
装（P
D
）确定模具的结温。
结温度可以被计算如下：
气流会增加散热，有效地降低
θ
JA
.
此外，更多金属直接接触封装从引线
金属走线，通孔，接地和电源层意志
减少
θ
JA
。必须小心，以最小化寄生电容
可用距离在高速运算放大器的输入导线为讨论
电路板布局部分。
图2示出了封装的最大安全功耗
年龄与环境温度的SOIC - 8 （ 125 ° C /
W） ， MSOP （ 150 ° C / W ） ，和SC70 （ 210 ° C / W）上的包
JEDEC标准4层板。
θ
JA
值是近似值。
2.0
1.5
MSOP-8
SOIC-8
1.0
T
J
=
T
A
+
(
P
D
× θ
J
A
)
消散在封装的功率（P
D
）是quies-的总和
百分之功耗与包装内的功率
由于对所有输出的负载驱动。静态功耗是
电源引脚之间的电压（V
S
静态电流）倍
(I
S
） 。假设负载（R
L
）被引用到中间电源电压，所述
总驱动功率
V
S
/2 I
OUT
，其中一些被消耗在
包和一些在负载（Ⅴ
OUT
I
OUT
） 。区别
总的驱动电源和负载之间的电源为驱动器
功率消耗在包中。
P
D
=静态功耗+ （总驱动功率 - 负载功率） ：
V
V
V
P
D
=
(
V
S
×
I
S
)
+
S
×
OUT
OUT
R
L
R
L
2
2
SC70-5
0.5
0
–60
–40
–20
0
20
40
60
环境温度 - C
80
100
图2.最大功率耗散主场迎战
温度为4层板
输出短路
短路输出到地面或吸收更多的电流为
在AD8007 / AD8008将有可能导致灾难性的失败。
RMS输出电压应予以考虑。如果
R
L
被引用
to
V
S
，在单电源供电，则总驱动功率
is
V
S
I
OUT
.
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易堆积
对人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然AD80 07 /
AD8008具有专用ESD保护电路，永久性的损害可能对设备产生
受到高能量静电放电。因此，适当的ESD防范措施建议
以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
–4–
版本C
