8N50
参数
初步
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
AR
E
AS
E
AR
功率MOSFET
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有规定）
评级
单位
漏源电压
500
V
栅源电压
±30
V
连续（T
C
=25°C)
8 （注2 ）
A
漏电流
脉冲（注3）
32 （注2）
A
雪崩电流（注3）
8
A
单脉冲（注4 ）
320
mJ
雪崩能量
重复（注5 ）
12.5
mJ
TO-220
125
T
C
=25°C
W
TO-220F1
42
功耗
P
D
TO-220
1
W / ℃，
减免上述25℃
TO-220F1
0.33
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55~+150
°C
注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.漏电流受最高结温
3.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温
4， L = 10MH ，我
AS
= 8A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
5. I
SD
≤
图8A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
热数据
参数
结到环境
结到外壳
TO-220
TO-220F1
TO-220
TO-220F1
符号
θ
JA
θ
JC
评级
62.5
62.5
1
3
单位
° C / W
° C / W
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 6
QW-R502-546.a
