ICS8344-01
低偏移， 1至24差分至LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器
T
ABLE
4G 。
。微分
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
I
IH
输入高电流
nCLK0 ， nCLK1
CLK0 ， CLK1
nCLK0 ， nCLK1
I
IL
V
PP
V
CMR
输入低电平电流
CLK0 ， CLK1
峰峰值输入电压
共模输入电压：注1 ， 2
测试条件
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
-150
-5
0.3
0.9
1.3
2
最低
典型
最大
5
150
单位
A
A
A
A
V
V
注1 ：对于单端应用，最大输入电压为CLK0 ， nCLK0和CLK1 ， nCLK1为V
DD
+ 0.3V.
注2 ：共模电压定义为V
IH
.
T
ABLE
4H 。
。微分
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
I
IH
输入高电流
nCLK0 ， nCLK1
CLK0 ， CLK1
nCLK0 ， nCLK1
I
IL
V
PP
V
CMR
输入低电平电流
CLK0 ， CLK1
峰 - 峰值输入电压
共模输入电压;注： 1 ， 2
测试条件
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V,
V
IN
= 0V
V
DD
= 3.465V,
V
IN
= 0V
-150
-5
0.3
0.9
1.3
2
最小典型
最大
5
150
单位
A
A
A
A
V
V
注1 ：对于单端应用，最大输入电压为CLK0 ， nCLK0和CLK1 ， nCLK1为V
DD +
0.3V.
注2 ：共模电压定义为V
IH
.
T
ABLE
4I 。
。微分
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
I
IH
输入高电流
nCLK0 ， nCLK1
CLK0 ， CLK1
nCLK0 ， nCLK1
I
IL
V
PP
V
CMR
输入低电平电流
CLK0 ， CLK1
峰 - 峰值输入电压
共模输入电压;注： 1 ， 2
测试条件
V
DD
= V
IN
= 2.625V
V
DD
= V
IN
= 2.625V
V
DD
= 2.625V, V
IN
= 0V
V
DD
= 2.625V, V
IN
= 0V
-150
-5
0.3
0.9
1.3
2
最小典型
最大
5
150
单位
A
A
A
A
V
V
注1 ：对于单端应用，最大输入电压为CLK0 ， nCLK0和CLK1 ， nCLK1为V
DD
+ 0.3V.
注2 ：共模电压定义为V
IH
.
IDT
/ ICS
LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器
6
ICS8344AY -01 REV 。 2008年9月9日
