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ICS8344I -01数据表
低偏移， 1至24差分至LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器
绝对最大额定值
注：如果运行条件超出了那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。
这些评价只强调规范。产品在这些条件或超出任何条件的功能操作
在这些上市
直流特性和交流特性
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响产品的可靠性。
项
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
等级
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5V
-0.5V到V
DDO
+ 0.5V
53.9 ℃/ W（ 0 MPS ）
-65 ℃150 ℃的
DC电气特性
表4A 。直流电源的特点，
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％或V
DD
= V
DDO
= 2.5V ±5％，或
V
DD
= 3.3V ± 5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= -40 ° C至70℃
符号
V
DD
参数
电源电压
2.375
3.135
V
DDO
I
DD
输出电源电压
2.375
电源电流
2.5
2.625
95
V
mA
2.5
3.3
2.625
3.465
V
V
测试条件
最低
3.135
典型
3.3
最大
3.465
单位
V
表4B 。 LVCMOS / LVTTL DC特性，
T
A
= -40 ° C至70℃
符号
V
IH
参数
输入高电压
测试条件
V
DD
= 3.465V
V
DD
= 2.625V
输入低电压
输入
HIGH CURRENT
输入
低电流
OE ， CLK_EN
CLK_SEL
OE ， CLK_EN
CLK_SEL
V
DD
= 3.465V
V
DD
= 2.625V
V
DD
= V
IN
= 3.465V或2.625V
V
DD
= V
IN
= 3.465V或2.625V
V
DD
= 3.465V或2.625V ，V
IN
= 0V
V
DD
= 3.465V或2.625V ，V
IN
= 0V
V
DDO
= 3.135V ，我
OH
= -36mA
V
DDO
= 2.375V ，我
OH
= -27mA
输出低电压
V
DDO
= 3.135V ，我
OL
= 36毫安
V
DDO
= 2.375V ，我
OL
= 27毫安
-150
-5
2.7
1.9
0.5
0.5
最低
2
2
-0.3
-0.3
典型
最大
3.8
2.9
0.8
0.8
5
150
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
V
V
V
V
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
输出高电压
V
OL
ICS8344AYI - 01修订版A 2012年2月29日
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2012集成设备技术有限公司
