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ICS8344I -01数据表
低偏移, 1至24差分至LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器
电源注意事项
本节提供了功耗和结温为ICS8344I -01的信息。
还提供了公式和计算示例。
1.
功耗。
总功耗为ICS8344I -01是核心电源加在模拟功率加上消耗在负载(多个)的功率的总和。
以下是对功耗V
DD
= 3.3V + 5% = 3.465V ,这给了最坏的情况下的结果。
功率(核心)
最大
= V
DD_MAX
* I
DD
= 3.465V * 95毫安=
329.2mW
输出阻抗
OUT
由于装载50Ω到V功率耗散
DD
/2
输出电流I
OUT
= V
DD_MAX
/ [2 * (50 + R
OUT
)] = 3.465V / [2 * (50 + 7)] =
30.4mA
在R功率耗散
OUT
每LVCMOS输出
功率(R
OUT
) = R
OUT
* (I
OUT
)
2
= 7Ω * ( 30.4毫安)
2
=
每个输出6.47mW
总功率(R
OUT
) = 6.47mW * 24 =
155mW
功率( 100MHz时) = C
PD
*频率* (V
DD
)
2
= 16pF的*为100MHz * ( 3.465V )
2
=
19.2mW每路输出
总功率( 100MHz时) = 19.2mW * 24 =
461mW
总功耗
总功率
=功率(核心)
最大
+电源(R
OUT
) +电源( 100MHz时)
= 329.2mW + 155MW + 461mW
= 945.2mW
在100MHz的动态功耗
2.结温。
结温, TJ ,是在接合线与接合焊盘的交界处的温度直接影响器件的可靠性。该
建议的最大结温为125°C 。限制内部晶体管的结温,TJ ,至125℃可确保该键
电线和焊盘的温度低于125 ℃。
根据上面的公式TJ如下:环境温度为
θ
JA
* Pd_total + T
A
TJ =结温
θ
JA
=结点至环境热阻
Pd_total =器件总功耗(例如计算在上述第1 )
T
A
=环境温度
为了计算结温,相应结点到环境的热阻
θ
JA
必须使用。假定没有空气流动和
的多层电路板,适当的值是81.2 °C / W每下表6 。
因此,TJ为70℃的环境温度下与所有的输出开关是:
70 ° C + 0.945W * 53.9 ° C / W = 120.9 ℃。这是低于125℃的上限。
该计算仅是一个例子。 TJ显然将取决于已加载的输出端,电源电压,空气流的数量和类型
板(多层) 。
表6.热阻
θ
JA
48引脚LQFP封装,强制对流
θ
JA
由速度
米每秒
多层PCB , JEDEC标准测试板
0
53.9°C/W
1
47.7°C/W
2.5
45.0°C/W
ICS8344AYI - 01修订版A 2012年2月29日
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