SPD 08N05L
SIPMOS功率晶体管
特点
N沟道
产品概述
漏源电压
漏源导通电阻
连续漏电流
V
DS
R
DS （ ON）
I
D
55
0.1
8.4
V
A
增强型
额定雪崩
逻辑电平
dv / dt的额定
175 ° C工作温度
TYPE
SPD08N05L
SPU08N05L
包
P-TO252
P-TO251
订购代码
Q67040-S4134
包装
磁带和卷轴
销1
G
销2
D
3脚
S
Q67040 - S4182 -A2管
MaximumRatings
在
Tj
= 25℃，除非另有说明
符号
参数
连续漏电流
价值
8.4
5.9
34
35
2.4
6
单位
A
I
D
T
C
= 25 C
T
C
= 100 C
漏电流脉冲
I
Dpulse
E
AS
E
AR
dv / dt的
T
C
= 25 C
雪崩能量，单脉冲
mJ
I
D
= 8.4 A,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
雪崩能量，通过定期的限制
T
JMAX
反向二极管的dv / dt
KV / μs的
I
S
= 8.4 A,
V
DS
= 40 V ，的di / dt = 200 A / μs的，
T
JMAX
= 175 C
门源电压
功耗
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
±
20
24
-55... +175
55/175/56
V
W
C
T
C
= 25 C
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
数据表
1
06.99
