SPD09P06PL
G
SIPMOS
=
功率晶体管
特征
P沟道
P沟道
增强型
增强型
逻辑电平
prueb
逻辑电平
175 ° C工作温度
175 ° C工作温度
额定雪崩
额定雪崩
dv / dt的额定
dv / dt的额定
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
产品概述
V
DS
R
DS （ ON）
I
D
-60
0.25
-9.7
PG-TO252-3
V
漏
销2
TYPE
SPD09P06PL
G
包
PG-TO252-3
无铅
是的
门
pin1
来源
3脚
最大额定值，在
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
连续漏电流
T
C
=25°C
T
C
=100°C
符号
I
D
价值
-9.7
-6.8
单位
A
漏电流脉冲
T
C
=25°C
I
PULS
E
AS
E
AR
dv / dt的
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
-38.8
70
4.2
6
±20
42
-55... +175
55/175/56
KV / μs的
V
W
°C
mJ
雪崩能量，单脉冲
雪崩能量，通过定期的限制
T
JMAX
反向二极管的dv / dt
I
S
=-9.7A,
V
DS
=-48,
di/dt=200A/s,
T
JMAX
=175°C
门源电压
功耗
T
C
=25°C
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
修订版2.5
I
D
=-9.7 A ,
V
DD
=-25V,
R
GS
=25
第1页
2008-07-29
A
