7N10
典型特征
功率MOSFET
漏电流，我
D
(A)
漏源导通电阻
特征
4
3.5
漏电流，我
D
(A)
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
0.8
0.2
0.4
0.6
漏源极电压，V
DS
(V)
0.01
V
GS
= 10V ，我
D
=3.5A
100
漏电流，我
D
(A)
最高安全工作区
漏电流，我
D
(A)
R
D
S(
O
N
)
L
10
im
it
1
10s
100s
0.1
1ms
10ms
100ms
T
A=
25C
0.1
1
10
DC
60
漏极 - 源极电压V
DS
(V)
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