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新产品
SS1P5L通SS1P6L
威世通用半导体
100
1000
T
A
= 150 °C
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
正向电流（A ）
10
结电容（pF ）
100
1
T
A
= 25 °C
0.1
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
10
0.1
1
10
100
正向电压（ V）
反向电压（ V）
图。 3 - 典型的正向特性
10 000
1000
T
A
= 150 °C
1000
T
A
= 125 °C
100
图。 5 - 典型结电容来
瞬时反向电流（ μA ）
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
结到环境
100
10
10
1
T
A
= 25 °C
0.1
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
1
0.01
0.1
1
10
100
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 典型的反向漏电特性
图。 6 - 典型的瞬态热阻抗
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO- 220AA （ SMP）的
阴极带
0.012 （ 0.30 ） REF 。
0.086 (2.18)
0.074 (1.88)
0.053 (1.35)
0.041 (1.05)
0.036 (0.91)
0.024 (0.61)
0.142 (3.61)
0.126 (3.19)
0.158 (4.00)
0.146 (3.70)
0.103 (2.60)
0.087 (2.20)
0.032 (0.80)
0.016 (0.40)
0.105
(2.67)
0.013 (0.35)
0.004 (0.10)
0.045 (1.15)
0.033 (0.85)
0.012 (0.30) 0.018 (0.45)
0.000 (0.00) 0.006 (0.15)
0.100
(2.54)
0.025 0.030
(0.635) (0.762)
0.050
(1.27)
文档编号： 89063
修订： 19 -APR- 11
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