恩智浦半导体
74LVC2G125
双总线缓冲器/线路驱动器;三态
11.动态特性
表8 。
动态特性
电压参考GND （地0 V ） ;测试电路见
图9 。
符号参数
t
pd
条件
[2]
40 °C
+85
°C
民
典型值
[1]
3.7
2.5
2.7
2.3
1.9
4.3
2.8
3.3
2.4
2.0
3.5
1.8
2.7
2.7
1.8
18
5
最大
9.1
4.8
4.8
4.3
3.7
9.9
5.6
5.7
4.7
3.8
11.6
5.8
4.8
4.6
3.4
-
-
40 °C
+125
°C
单位
民
1.0
0.5
1.0
0.5
0.5
1.5
1.0
1.5
0.5
0.5
1.0
0.5
1.0
1.0
0.5
-
-
最大
11.4
6.0
6.0
5.5
4.6
12.4
7.0
7.1
5.9
4.8
14.1
7.6
6.2
5.9
4.6
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
传播延迟nA至纽约;看
图7
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
1.0
0.5
1.0
0.5
0.5
[3]
t
en
启用时间
NOE到纽约;看
图8
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
1.5
1.0
1.5
0.5
0.5
[4]
t
DIS
禁止时间
NOE到纽约;看
图8
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
1.0
0.5
1.0
1.0
0.5
[5]
C
PD
功耗
电容
每个缓冲区; V
I
= GND到V
CC
输出启用
输出禁用
-
-
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
典型值是在额定V测
CC
而在T
AMB
= 25
°C.
t
pd
是相同为T
PLH
和T
PHL
.
t
en
是相同为T
PZH
和T
PZL
.
t
DIS
是相同为T
PLZ
和T
PHZ
.
C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
μW).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
在V =电源电压;
N =输入切换次数;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和。
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