恩智浦半导体
74LVC1G00
单路2输入与非门
11.动态特性
表8 。
动态特性
电压参考GND（地= 0V） ;对于负载电路见
网络连接gure 8 。
符号参数
t
pd
条件
[2]
40 °C
+85
°C
民
典型值
[1]
3.3
2.2
2.6
2.2
1.8
14
最大
8.0
5.5
5.8
4.7
4.0
-
40 °C
+125
°C
民
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
-
最大
10.5
7.0
7.5
6.0
5.5
-
单位
传播延迟A，B为Y ;看
图7
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
[3]
ns
ns
ns
ns
ns
pF
C
PD
功耗
电容
V
I
= GND到V
CC
;
V
CC
= 3.3 V
-
[1]
[2]
[3]
典型值是在T测
AMB
= 25
°C
和V
CC
= 1.8 V， 2.5 V ， 2.7 V ， 3.3 V和5.0 V 。
t
pd
是相同为T
PLH
和T
PHL
.
C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
μW).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
∑(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
在V =电源电压;
N =输入切换次数;
∑(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和。
12.波形
V
I
A， B输入
GND
t
PHL
V
OH
Y输出
V
OL
V
M
mna612
V
M
t
PLH
在测量点中给出
表9 。
V
OL
和V
OH
是与输出中发生的典型的输出电压电平。
图7 。
的输入（ A和B）到输出（Y）的传播延迟时间
74LVC1G00
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
启8 - 二○一○年十月二十〇日
6 17
