新产品

SS3P3

威世通用半导体

高电流密度表面贴装

肖特基势垒整流器器

ESMP

TM

系列

DO- 220AA （ SMP）的

特点

非常低调 - 1.0mm的典型高度

适合自动放置

低正向压降，低功耗

损失

高效率

低热阻

符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大

260℃峰值

按照RoHS 2002/95 / EC组件

和WEEE 2002/96 / EC

典型应用

适用于低电压高频率逆变器的使用，

续流，直流 - 直流转换器和极性

保护应用。

3A

30 V

50 A

11.25兆焦耳

0.43 V

150 °C

主要特征

I

F（ AV ）

V

RRM

I

FSM

E

AS

V

F

T

J

马克斯。

机械数据

案例：

DO- 220AA （ SMP）的

环氧符合UL 94V- 0阻燃等级

终端：

雾锡镀线索，每焊

J- STD- 002和JESD22- B102

E3后缀消费档次，满足JESD 201级

1A晶须测试， HE3后缀为高可靠性等级

（ AEC Q101标准） ，符合JESD 201 2级

晶须测试

极性：

色环表示阴极结束

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

参数

器件标识代码

最大重复峰值反向电压

最大正向平均整流电流（图1）

峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波叠加

在额定负荷

非重复性雪崩能量在T

J

= 25 ° C，I

AS

= 1.5 ， L = 10毫亨

变化的电压率（额定V

R

)

工作结存储温度范围

V

RRM

I

F（ AV ）

I

FSM

E

AS

dv / dt的

T

J,

T

英镑

符号

SS3P3

33

30

3.0

50

11.25

10 000

- 55至+ 150

V

A

A

mJ

V / μs的

°C

单位

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

参数

最大正向电压

(1)

额定V最大反向电流

R (2)

典型结电容

测试条件

I

F

= 3 A

I

F

= 3 A

T

J

= 25 °C

T

J

= 125 °C

T

J

= 25 °C

T

J

= 125 °C

4.0 V， 1 MHz的

符号

V

F

I

R

C

J

典型值。

0.52

0.43

-

9.0

130

马克斯。

0.58

0.48

200

20

单位

V

A

mA

pF

注意事项：

（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比

（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度

≤

40毫秒

文档编号： 88944

修订： 19 08年5月

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