新产品

SS8P2CL ， SS8P3CL

威世通用半导体

高电流密度表面贴装

肖特基势垒整流器

ESMP

K

TM

特点

系列

非常低调 - 1.1 mm典型的高度

适合自动放置

低正向压降，低功率损耗

高效率

低热阻

1

2

TO- 277A （ SMPC ）

K

阴极

阳极1

阳极2

符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020

AEC- Q101标准

符合RoHS指令2002/95 / EC和

根据WEEE指令2002/96 / EC

根据IEC 61249-2-21定义的无卤素

机械数据

主要特征

I

F（ AV ）

V

RRM

I

FSM

E

AS

V

F

在我

F

= 4 A

T

J

马克斯。

2× 4.0

20 V, 30 V

120 A

20兆焦耳

0.41 V

150 °C

案例：

TO- 277A （ SMPC ）

塑封料符合UL 94 V - 0阻燃等级

底座P / N - M3 - 无卤素，符合RoHS标准，并

商业级

底座P / NHM3 - 无卤素，符合RoHS标准，并

汽车级

终端：

雾锡镀线索，每焊

J- STD- 002和JESD 22 - B102

M3后缀符合JESD 201级1A晶须测试， HM3后缀

符合JESD 201级2晶须测试

典型应用

适用于低电压高频率逆变器的使用，随心所欲

二极管， DC / DC变换器和极性保护

应用程序。

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

参数

器件标识代码

最大重复峰值反向电压

设备总

最大正向平均整流电流（图1）

每二极管

峰值正向浪涌电流10毫秒单一正弦半波

叠加在额定负荷

非重复性雪崩能量在25 ° C，I

AS

= 2将每个二极管

工作结存储温度范围

I

F（ AV ）

I

FSM

E

AS

T

J

, T

英镑

V

RRM

符号

SS8P2CL

S82C

20

8.0

4.0

120

20

- 55至+ 150

A

mJ

°C

SS8P3CL

S83C

30

V

A

单位

文档编号： 89030

修订： 10月11

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