SSM1333GU
P沟道增强型功率MOSFET
产品概述
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
描述
该SSM1333GU acheives快速开关性能
有没有复杂的驱动电路，低栅极电荷。它
适用于低电压应用，例如驱动器，
高侧线和一般负载切换电路。
该SSM1333GU是符合RoHS标准提供
SOT- 323 / SC-70封装，其被广泛地用于
低功率商业和工业表面贴装
应用程序。
-20V
600m
-550mA
无铅;符合RoHS标准的SOT- 323 / SC- 70
D
S
SOT-323/SC-70
G
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3,
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
漏电流脉冲
1,2
总功耗，T
A
= 25°C
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
3
价值
-20
±
12
-550
-440
-2.5
0.35
0.003
-55到150
-55到150
单位
V
V
mA
mA
A
W
W / ℃，
°C
°C
热特性
符号
R
θJA
参数
最大热阻，结到环境
3
价值
360
单位
° C / W
注意事项：
1.Pulse宽度必须被限制，以避免超过150℃的最大结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.Mounted在FR4板，T < 10秒。
2005年11月26日Rev.3.01
www.SiliconStandard.com
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