1.8V串行四I / O（ SQI ）快闪记忆体
SST26WF032
超前信息
产品订购信息
SST
26
XX
WF
XX
032
XXX
-
-
80
XX
-
-
4I
XX
-
-
S2AE
XXXX
环境属性
E
1
=无铅/无锡接触
（铅）完成
包修改
A = 8线索或联系人
套餐类型
Q = WSON （6毫米× 5毫米）的
S2 = SOIC （ 200 mil主体宽度）
温度范围
I =工业= -40 ° C至+ 85°C
最低耐力
4 = 10,000次
工作频率
80 = 80 MHz的
器件密度
032 = 32兆
电压
W = 1.65-1.95V
产品系列
26 =四路串行I / O （ SQI ）闪光
内存
1.环境后缀“ E”表示非铅溶胶
明镜。 SST无铅锡焊器件均“符合RoHS
合规性“ 。
有效组合SST26WF032
SST26WF032-80-4I-QAE
SST26WF032-80-4I-S2AE
注意：
有效组合是已量产或即将量产。请教
您的SST销售代表确认有效组合的可用性，并确定
可用性的新组合。
2010硅存储技术公司
S71409-01-000
01/10
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