16兆位多用途闪存+
SST39WF1601 / SST39WF1602
EOL数据表
翻转位（ DQ6和DQ2 ）
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
将产生交变'1'
和'0' ，即0. 1至切换当内部
编程或擦除操作完成后， DQ
6
位会
停止切换。该设备然后准备下一次操作
化。对于扇区擦除，块或片擦除，翻转位（ DQ
6
)
是后6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿有效。
DQ
6
将被设置为'1'，如果执行读操作，尝试对
擦除暂停的扇区/块。如果程序运行已以启动
tiated在没有选择的扇区/块擦除暂停
模式， DQ
6
将切换。
另外一个触发位可在DQ
2
，它可以是
与DQ配合使用
6
检查是否一个特定的
部门正在积极擦除或擦除暂停。表1
列出了详细的状态位信息。切换位
（ DQ
2
）是经过的最后一个WE ＃ （或CE ＃上升沿有效）
脉冲写入操作。参见图7翻转位时序
图，图20为一个流程图。
表1 ：写操作状态
状态
正常
标准
操作计划
标准
抹去
使用擦除
暂停
模式
从阅读
擦除暂停
扇区/块
从阅读
非擦除暂停
扇区/块
节目
硬件块保护
该SST39WF1602支持顶部硬件块保护
化，保护装置的顶部32K字块。
该SST39WF1601支持底层硬件模块亲
tection ，它保护的底部32K字块
装置。引导块地址范围中所描述
表2.编程和擦除操作是防止上
在32K字当WP＃为低。如果WP ＃悬空，它是
通过一个上拉电阻器，并且所述引导内部保持高
块不受保护，使编程和擦除操作
该系统蒸发散块上。
表2 ：引导块地址范围
产品
底部引导块，
SST39WF1601
热门引导块
SST39WF1602
0F8000H-0FFFFFH
T2.0 1297(05)
地址范围
000000H-007FFFH
DQ
7
DQ
7
#
0
1
DQ
6
切换
切换
1
DQ
2
无切换
切换
切换
硬件复位（ RST ＃ ）
在RST ＃引脚提供了复位的硬件方法
设备读取阵列的数据。当RST ＃引脚保持低电平
对于至少吨
RP ，
任何正在进行的操作将终止，而
返回到读取模式。如果没有内部编程/擦除
操作过程中， T的最小周期
RHR
is
后RST ＃所需的驱动为高电平前有效的阅读能
发生（参见图15） 。
已中断的擦除或编程操作
需要设备恢复正常后才能重新开始
操作模式，以确保数据的完整性。
数据
数据
数据
DQ
7
#
切换
不适用
T1.0 1297(05)
注意：
DQ
7
和DQ
2
阅读时需要一个有效的地址
状态信息。
软件数据保护（ SDP ）
该SST39WF1601 / 1602提供了JEDEC核准
对于所有数据修改软件数据保护方案
操作，即编程和擦除。任何程序操作
化需要包含三字节序列。该
3字节装入序列用于启动程序
操作时，提供防止意外最佳的保护
在系统上电写操作，例如，或
掉电。任何擦除操作需要列入
6字节的序列。这些设备随
软件数据保护永久启用。请参阅表
6为特定的软件命令代码。在SDP
命令序列，无效命令会中止
设备T内读取模式
RC 。
DQ的内容
15
-DQ
8
可以是V
IL
或V
IH
但任何其他值，在任何的SDP的COM
命令序列。
数据保护
该SST39WF1601 / 1602同时提供硬件和软件
洁具功能，以防止意外的非易失性数据
写道。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
2011硅存储技术公司
S71297(05)-00-EOL
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