16兆位多用途闪存+
微芯片技术公司
SST39VF1681 / SST39VF1682
数据表
产品订购信息
SST
39
VF
1681
-
70
-
4C
XX
-
-
B3KE
XXXX
环境属性
E
1
=无铅
包修改
K = 48引线
套餐类型
B3 = TFBGA封装（ 6× 8毫米， 0.8mm间距）
E = TSOP （ TYPE1 ，死了，12毫米X 20毫米）
温度范围
C =商业= 0 ° C至+ 70°C
I =工业= -40 ° C至+ 85°C
最低耐力
4 = 10,000次
读访问速度
70 = 70纳秒
硬件块保护
1 =底部引导块
2 =顶部引导块
器件密度
168 = 16兆
电压
V = 2.7-3.6V
产品系列
39 =多用途闪存
XX XX
XXXX -
XX -
1.环境后缀“E ”代表无铅锡焊。
SST无铅锡焊器件均“符合RoHS ” 。
对于SST39VF1681有效组合
SST39VF1681-70-4C-EKE
SST39VF1681-70-4I-EKE
SST39VF1681-70-4C-B3KE
SST39VF1681-70-4I-B3KE
对于SST39VF1682有效组合
SST39VF1682-70-4C-EKE
SST39VF1682-70-4I-EKE
SST39VF1682-70-4C-B3KE
SST39VF1682-70-4I-B3KE
注：有效
组合是那些产品中大量生产或将要在大量生产。请咨询您的SST销售
代表确认有效组合的可用性，并确定新组合的供应。
2011硅存储技术公司
DS25040A
05/11
31
