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2兆位/ 4兆位/ 8兆位（ X16 ）多用途闪存
微芯片技术公司
SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A
SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A
数据表
该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A / 800A器件128K
X16 / X16 256K / 512K x16的CMOS多用途闪存（ MPF）与制造
SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术。分裂栅
单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更高的可靠性和制造
turability与其他方法相比。该SST39LF200A / 400A / 800A
写（编程或擦除）以3.0-3.6V的电源。该SST39VF200A / 400A /
800A写（编程或擦除）用2.73.6V电源。这些设备CON组
形式JEDEC标准引脚排列X16的回忆。
产品特点：
组织为128K X16 / X16 256K / 512K X16
单电压读写操作
- 3.0-3.6V的SST39LF200A / 400A / 800A
- 2.7-3.6V的SST39VF200A / 400A / 800A
快速擦除和字编程
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 字编程时间： 14 μs（典型值）
- 芯片重写时间：
2秒钟（典型值） SST39LF / VF200A
4秒（典型值） SST39LF / VF400A
8秒（典型值） SST39LF / VF800A
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗
（在14 MHz时的典型值）
- 工作电流：9 mA（典型值）
- 待机电流： 3 μA （典型值）
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
扇区擦除功能
- 统一2K字扇区
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
块擦除功能
- 统一32K字块
快速读取访问时间
- 55纳秒的SST39LF200A / 400A / 800A
- 70纳秒的SST39VF200A / 400A / 800A
封装
- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）
- 48球TFBGA封装（ 6× 8毫米）
- 48球WFBGA （ 4× 6毫米）
- 48焊球XFLGA （ 4× 6毫米） - 4和8Mbit的
锁存地址和数据
所有非铅（无铅）器件均符合RoHS标准
2011硅存储技术公司
www.microchip.com
DS25001A
03/11
