电气特性
ST1S12XX ， ST1S12XX12 ， ST1S12XX18
V
IN
=V
EN
≤ 3.6 V ，C
IN
= 4.7 μF ，C
O
= 10 μF ， L = 2.2 μH ，T
J
= -40 125 ℃（除非另有
指定的。典型值被称为25 ℃）。
表8 。
符号
OUT
I
O
V
IN
I
Q
I
O
V
EN
I
EN
对于ST1S12G18电气特性
参数
输出反馈引脚
V
O
销偏置电流
最小输入电压
静态电流
输出电流
启用阈值
启用引脚电流
V
IN
= 2.5V至5.5V
(1)
I
O
= 10mA至700毫安
(1)
1.16
I
SW
= 100毫安
I
SW
= 100毫安
(1)
测试条件
T
J
= -40 125 ℃的
分钟。
1.746
典型值。
1.8
15
马克斯。
1.854
20
单位
V
A
V
I
O
= 10mA至0.7A
V
IN
=V
EN ，
V
FB
=2V
V
EN
= 0, T
J
= -40 ° C至85°C
V
IN
= 2.5V至5.5V
(1)
设备上，V
I
= 2.5V至5.5V
设备关闭
2.5
500
600
1
0.7
1.5
A
A
A
V
0.5
1
0.05
0.1
A
%V
O
/ΔV
IN
%V
O
/ MA
兆赫
Ω
Ω
A
%
90
130
150
15
°C
°C
+5
+10
%V
O
%V
O
%V
O
/ΔV
IN
参考线路调整
%V
O
/ΔI
O
PWMF
S
参考负载调节
PWM开关频率
0.0025 0.005
1.7
0.25
0.25
1.6
80
2.08
0.4
0.45
R
DSON
-N NMOS开关导通电阻
R
DSON
-P PMOS开关导通电阻
I
SWL
½
T
SHDN
T
HYS
%V
O
/ΔI
O
%V
O
/ΔI
O
开关电流限制
效率
(1)
热关断
热关断迟滞
负载瞬态响应
短路去除响应
I
O
= 10mA至100毫安
I
O
= 100mA至0.7A
I
O
= 100mA至700毫安，T
A
= 25°C
t
R
= t
F
≥
200ns的，C
O
=22F
(1)
I
O
= 10mA至我
O
=短，
T
A
= 25°C
(1)
-5
-10
1，保证所设计的，但在生产中测试。
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