ST62T08C / T09C ST62T10C / T20C / E20C
编程模式
（续）
1.4.2程序存储器
EPROM / OTP编程模式是由一个设置
+ 12.5V电压施加到TEST / V
PP
引脚。该
程序设计
溢流
of
该
ST62T08C ， T09C ， T10C ， T20C / E20C描述
在EPROM编程的用户手册中
板。
表2. ST62T08C ， T09C程序存储器映射
设备地址
0000h-0B9Fh
0BA0h-0F9Fh
0FA0h-0FEFh
0FF0h-0FF7h
0FF8h-0FFBh
0FFCh-0FFDh
0FFEh-0FFFh
描述
版权所有
用户ROM
版权所有
中断向量
版权所有
NMI中断向量
复位向量
表4. ST62T20C ， E20C程序存储器映射
设备地址
0000h-007Fh
0080h-0F9Fh
0FA0h-0FEFh
0FF0h-0FF7h
0FF8h-0FFBh
0FFCh-0FFDh
0FFEh-0FFFh
描述
版权所有
用户ROM
版权所有
中断向量
版权所有
NMI中断向量
复位向量
表3. ST62T10C程序存储器映射
设备地址
0000h-087Fh
0880h-0F9Fh
0FA0h-0FEFh
0FF0h-0FF7h
0FF8h-0FFBh
0FFCh-0FFDh
0FFEh-0FFFh
描述
版权所有
用户ROM
版权所有
中断向量
版权所有
NMI中断向量
复位向量
注意：
OTP / EPROM器件进行编程
用购自STMi-开发工具
croelectronics （ ST62E2X - EPB或ST622X -KIT ） 。
1.4.3 EPROM擦除
加窗的包的EPROM的
微控制器可通过暴露于紫外线来擦除
光。所述MCU的擦除特性是
使得擦除开始时，存储器是EX-
提出了光与波长比AP-短
近因4000A 。但是应当注意的是，王孙
灯和某些类型的荧光灯具有
波长范围为3000-4000 。
因此，建议的窗口
MCU的包被涵盖不透明标签
防止意外删除的问题时，测试 -
荷兰国际集团在这样的环境中的应用。
的推荐的擦除程序
EPROM微控制器是暴露在短波UL-
traviolet光，具有波长2537A 。
集成的剂量（即紫外线强度X曝光
时间），用于擦除最小应为30W-的
秒/厘米
2
。擦除时间与该剂量是AP-
使用紫外紧贴地30至40分钟
灯12000μW /厘米
2
额定功率。该
ST62E20C应放置在2.5厘米（ 1英寸）
的擦除期间的灯管。
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