ST6255C ST6265C ST6265B
存储器映射
（续）
在并行模式下其他注意事项：
如果用户希望执行并行编程
明，第一步应该是设置E2PAR2
位。从这时起，在将EEPROM进行寻址。
穿着在写入模式下， ROW地址和
数据将被锁存的，这将是可能的
仅在编程的结束改变它们
周期或重置E2PAR2无编程
明的EEPROM 。后的ROW地址是
锁存后， MCU只能“看”的选择
EEPROM行，任何试图写或读
其他的行会产生误差。
EEPROM中不应被理解而E2PAR2
被设置。
只要E2PAR2位被置位，则8挥发
ROW锁存器被清除。从这一刻起，
用户可以在所有或在ROW的一部分加载数据。
设置E2PAR1将修改的EEPROM寄存器
对应到行锁存TER值访问
后E2PAR2 。例如，如果软件集
E2PAR2并访问EEPROM中通过写
地址18小时，为1Ah和1BH ，然后套
E2PAR1 ，这三个寄存器将被修改Si-所示
multaneously ;该行中剩余的字节将
不受影响。
需要注意的是E2PAR2内部复位在年底
编程周期。这意味着用户
必须设置在两个平行亲的E2PAR2位
编程周期。需要注意的是，如果用户试图设置
E2PAR1而E2PAR2没有设置，就不会有
编程周期和E2PAR1位将非
的影响。因此， E2PAR1位不能
如果E2ENA低设置。该E2PAR1位可以通过设置
用户，仅当E2ENA和E2PAR2位
还设立。
注意事项：
对EEPROM页不得改变
通过DRBR注册时E2PAR2位
被设置。
EEPROM控制寄存器（ EECTL ）
地址： EAH - 读/写
复位状态： 00H
7
D7
E2O
FF
D5
D4
E2PA
R1
E2PA
R2
0
E2BU E2E
SY
NA
位7 =
D7:
未使用。
位6 =
E2OFF ：
待机使能位。
只写。
如果该位被置位的EEPROM被禁止（任何访问
将是无意义的）和功耗
所述EEPROM被降低到它的最低值。
位5-4 =
D5-D4:
版权所有。
务必保持复位。
位3 =
E2PAR1 ：
平行起始位。
只写。
一旦在并行模式中，只要用户软件
设置E2PAR1位， 8相邻的并行写入
百分之寄存器将启动。该位内部复位的
在编程过程结束。注意
小于8个字节可以被写入，如果需要，该非
自定义的字节是不受并行亲
编程周期;此进行更详细的说明
在并行模式下页的其他注意事项。
位2 =
E2PAR2 ：
并联方式连接。位。
写
ONLY 。该位必须由用户程序设置
为了进行并行编程。如果E2PAR2
设置和平行起始位（ E2PAR1 ）复位，
多达8个相邻字节可以被写入同步对
发声。这8个相邻的字节被认为是一个
行，其地址线A7 ，A6， A5，A4 ， A3是同
固定的，而A2，A1和A0的变化的位，如
所示
图4中。
E2PAR2自动重新
设定为任意的并行编程proce-结束
杜热。它可以通过前，用户软件复位
在开始编程过程，从而留下
在EEPROM寄存器不变。
位1 =
E2BUSY ：
EEPROM忙位。
阅读ON-
LY 。该位是由EEPROM中自动设定
当EEPROM处于编程控制逻辑
明模式。用户程序之前，应该对其进行测试
任何EEPROM读写操作;任何企图
访问EEPROM而忙位被置位
将被中止，并在写作过程
进度将完成。
位0 =
E2ENA ：
EEPROM使能位。
写ON-
LY 。该位使能EEPROM的编程
细胞。它必须在任何写入EEP-之前设置
ROM寄存器。写入EEP-任何企图
11/84
