STG3684A
低压0.5
Ω
最大双SPDT开关
有突破前先
特点
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超低功耗：
I
CC
= 0.2
μ
A（ MAX 。 ）在T
A
= 85 °C
低导通电阻V
IN
= 0 V:
– R
ON
= 0.45
Ω
（最大吨
A
= 25℃）在
V
CC
= 4.3 V
– R
ON
= 0.50
Ω
（最大吨
A
= 25℃）在
V
CC
= 3.6 V
– R
ON
= 0.50
Ω
（最大吨
A
= 25℃）在
V
CC
= 3.0 V
宽工作电压范围：
V
CC
（ OPR ）= 1.65 4.3 V单电源供电
4.3 V电压和1.8 V兼容门槛
就在V数字控制输入
CC
= 2.3 4.3 V
闭锁性能超过300毫安
（ JESD 17 ）
ESD性能：
HMB > 2千伏（ MIL STD 883方法3015 ）
它提供了非常低的导通电阻（R
ON
＆ LT ; 0.5
Ω)
at
V
CC
= 3.0 V的输入NIN提供给
控制独立通道开关60034-1
和NS2 。交换机60034-1被接通（连于
当NIN输入高举常用的端口，DN）
和OFF（之间存在高阻抗状态
这两个端口）时，宁为低。开关
NS2上（连接到公共端口DN）
当NIN输入保持低和关闭（州
在两个端口之间存在高阻抗）
当在保持高电平。其他主要特点是
开关速度快，突破前先延迟
时间和超低功耗。所有输入
和输出都配备了保护电路
防止静电放电，给他们ESD和
多余的瞬态电压免疫。
DFN10L
（ 2.3× 2mm）的
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QFN10L
（ 1.8 ×1.4 MM）
描述
该STG3684A是一个高速CMOS双
模拟SPDT （单刀双掷）开关或
双2： 1多路复用器/多路分解器总线开关
采用硅栅制造
2
MOS技术。
旨在从1.65运作至4.3 V这一点，
器件理想用于便携式应用。
表1中。
设备简介
订货编号
STG3684AUTR
STG3684ADTR
包
QFN10L （ 1.8 ×1.4 MM）
DFN10L （ 2.3× 2mm）的
REV 6
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
1/28
www.st.com
28
2007年11月
