位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1727页 > STK15C88-SF45ITR > STK15C88-SF45ITR PDF资料 > STK15C88-SF45ITR PDF资料2第5页
STK15C88
硬件保护
该STK15C88提供硬件保护，防止意外
在低电压STORE操作和SRAM写入
条件。当V
帽
＆ LT ; V
开关
所有外部发起STORE
操作和SRAM写操作被禁止。
图3.电流对周期时间（READ ）
噪声考虑
该STK15C88是一种高速内存。它必须具有高
约0.1μF高频旁路电容连接
V之间
CC
和V
SS,
使用线索和痕迹是短
成为可能。如同所有的高速CMOS集成电路，小心路由
电源，接地和信号降低电路噪声。
图2.电流对战循环时间（写）
文件编号： 001-50593修订版* C
在加时赛
PR EC
OD OM
UC米
蒂奥恩
N个去
到D
苏FO
PP R N
或EW
到D
吴ES
OI IG
NG NS
PR 。
od
uc
CMOS技术提供了STK15C88的好处
绘制显著较少的电流，当它被循环在时间较长
超过50纳秒。
图2
和
科幻gure 3
显示之间的关系
I
CC
和读取或写入周期时间。最坏情况下的电流
消费所示的CMOS和TTL电平输入
（商业级温度范围，V
CC
= 5.5 V时，占空比为100％
在芯片使能） 。当芯片只待机电流被绘制
禁用。由STK15C88得出的总平均电流
依赖于以下项目：
1.芯片的占空比使
2.整个周期率的访问
3的读写比
4. CMOS与TTL电平输入
5.操作温度
6， V
CC
水平
7. I / O负载
的nvSRAM产品得到了有效的超过15年使用。
而易用性是该产品的主要价值体系之一，
所获得的经验正在与数百个应用程序有
导致了以下建议作为最佳做法：
■
非易失性细胞中的nvSRAM被编程的
最后的测试和质量保证过程中试验楼。来
检查程序在客户或合同制造商的
网站有时，重新编程这些值。最后NV模式
通常重复AA ， 55 ， 00 ， FF ，A5或5A的图案。
最终产品的固件不应该承担NV阵列是一个
设置编程状态。该检查内存内容程序
值，以确定第一时间的系统配置和冷或
热启动状态应始终设定一个独特的NV模式
46 E6 49 53 （十六进制） （例如，复杂的4个字节的图案或
多个随机字节）作为最终的系统制造的一部分
进行测试，以确保这些系统的工作程序一致。
开机启动固件程序应该重写的nvSRAM
成期望的状态。而该NVSRAM出厂时预设
状态，最好的做法是重新改写的nvSRAM进入
作为一种保障，以免事件可能翻转理想状态
位在不经意间（程序错误和进货检验
例程） 。
■
N
TIO
最佳实践
n
pr
og
ra
第17页5
m
较低的平均有功功率
s
on
l
[+ ]反馈
y.
